氟化精细化学品

六氟丁二烯(HFBD)

化学组成六氟丁二烯,C₄F₆,CAS 685-63-2

六氟丁二烯(HFBD),分子式 C₄F₆、沸点 6–7°C、纯度 ≥99.90%。含氟单体兼半导体行业高深宽比刻蚀气体 — 较传统全氟烷烃(PFC)刻蚀气体污染更低、选择性更优。

制造商
上海华谊三爱富新材料 / 3F
牌号数
2
指标项
13

应用领域

  • 半导体刻蚀气体
  • 含氟树脂单体
  • 含氟化合物合成

工程案例

  • 半导体刻蚀工艺

技术数据表

HFBD-3N

3N 级(≥99.90%)

HFBD-3N — 纯度 ≥99.90% (3N),半导体通用级。

化学名称
六氟丁二烯
化学式
C₄F₆
分子量(g/mol)
162.03
外观 (25°C, 1 atm)
无色无味气体
沸点 (1 atm)(°C)
6~7
纯度(vol%)
≥99.90
水分(ppm)
≤15
氮气杂质(ppm)
≤10
氧气与氩气杂质(ppm)
≤5
二氧化碳杂质(ppm)
≤5
醇类杂质(ppm)
≤5
氟化氢杂质(ppm)
≤5
其他氢氟化物(ppm)
≤500

HFBD-4N

4N 级(≥99.99%)/ 半导体级

HFBD-4N — 纯度 ≥99.99% (4N),含水量 ≤5 ppm,高端电子级。

化学名称
六氟丁二烯
化学式
C₄F₆
分子量(g/mol)
162.03
外观 (25°C, 1 atm)
无色无味气体
沸点 (1 atm)(°C)
6~7
纯度(vol%)
≥99.99
水分(ppm)
≤5
氮气杂质(ppm)
≤5
氧气与氩气杂质(ppm)
≤1
二氧化碳杂质(ppm)
≤2
醇类杂质(ppm)
≤2
氟化氢杂质(ppm)
≤2
其他氢氟化物(ppm)
≤100

以上指标仅供技术性参考。